물리계가 비평형 상태에서 평형 상태로 변화하는 것을 완화(緩和, relaxation)이라고 부른다. 이 때, 완화에 걸리는 시간을 완화 시간(緩和時間, relaxation time)이라고 부른다.
전자의 파동 벡터가 일 때, 외부에서 field 를 걸어주면 전자는 다음과 같은 식을 만족하며 변한다.
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t초일 때 위치가 , 파동 벡터가 인 전자의 확률밀도함수를 로 나타내고 이를 전자의 분포함수라고 부른다.
우선 전자의 상태가 산란되지 않고 외부에서 가해준 힘에 의해서만 변한다고 가정하면 전자는 dt 이후에 위치는 , 파동 벡터는 인 상태가 되므로 역으로 , 인 상태가 dt초 후에 인 상태로 변한다고 볼 수 있다.
따라서 분포함수의 변화율은 다음과 같다.
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이는 연속적인 전자의 흐름과 관계되므로 표류기간이라고 부른다.
을 다음과 같이 테일러 전개하여
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이를 대입하면 표류기간은 다음과 같다.
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한편, 전자는 충돌(collision)에 의한 분포함수의 변화율까지 고려해서 평형상태를 유지해야 하므로 표류에 의한 분포함수 변화율과 충돌에 의한 분포함수 변화율의 합은 0이어야 한다.
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따라서 충돌에 의한 분포함수 변화율 식은 다음과 같다.
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이를 볼츠만의 운송 방정식이라 한다.
크리스탈이 uniform 하고 분포함수이 위치에 따라 무관하다고 가정하자.
이때 분포함수 f(k)는 k' 상태에서 k 상태로의 전이로 인해 증가하고, k 상태에서 k'상태로의 전이로 인해 감소한다.
이에 해당하는 단위 시간당 전이 확률을 각각 P(k',k), P(k,k')라 한다면 충돌 항은 다음과 같이 쓸 수 있다.
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여기서 term 은 전자가 k'상태에 존재하고 k 상태에 존재하지 않을 확률을 나타낸다.
Fermi level 이 conduction band의 bottom 에 놓여 있는 간단한 상황을 생각해보면 f(k)와 f(k')이 매우 작다고 할 수 있다.
이때 열적 평형에서의 distribution function을 로 정의하면 collision에 의한 distribution function 변화율은 0이어야 하므로 다음의 관계식을 얻는다.
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이를 이용하면 collision에 의한 distribution function 변화율은 다음과 같다.
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여기서 V는 크리스탈의 부피이다.
외부 field 가 매우 작고 distribution function이 열적평형에 가까우며 scattering에 의한 에너지 변화가 매우 작은 탄성 충돌이라고 가정하면 다음의 식이 성립한다.
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이를 통해 다음과 같은 식이 만족하므로
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collision의 relaxation time을 다음과 같이 정의할 수 있다.
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한편, relaxation time approximation 을 이용하여 Boltzmann transport equation 은 다음과 같이 relaxation time으로 표현할 수 있고
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공간적으로 uniform 하고 steady state 일 때 위 식은 다음과 같이 간단하게 나타낼 수 있다.
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만약 외부에서 걸어주는 field 가 x 방향이라면
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위 식이 만족하고, 여기서 이고 m*는 전자의 effective mass이다.
- 과 을 이용하면
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로 근사할 수 있고 이 식을 relaxation time 식에 대입하면 다음과 같은 식을 얻게 된다.
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여기서 는 k와 k'사이 각을 의미한다.
- C. Hamaguchi, Basic Semiconductor Physics,Springer,pages 196-252